三星更新半导体工艺路线图:计划2027年实现第四代2nm芯片量产
6月14日消息(苡臻)日前,星更新半芯片在圣何塞举行的导体第代三星晶圆代工论坛上,三星更新了其半导体工艺路线图,工艺目标是线量产大白图片在 2027 年实现第四代 2nm 芯片的大规模生产,并在 2025 年量产升级版 4nm 硅芯片。图计
据了解,划年三星的实现2nm工艺路线涵盖了多个技术节点,首推SF2,星更新半芯片随后将依次推出SF2P、导体第代SF2X、工艺SF2Z、线量产儿童风景画图片SF2A。图计第一代 2nm工艺 SF2 将于 2025 年开始,划年升级版 SF2P 将于 2026 年准备就绪。实现
第四代SF2Z 工艺节点将于 2027 年投入量产,星更新半芯片将采用先进的非主流动态头像背面供电网络(BSPDN)技术,以提高能效并降低温度。
此外,新的 SF4U 工艺被称为高价值 4 nm变体,利用 “光学收缩 ”技术提高了功率、性能和面积,计划于 2025 年实现量产。
三星晶圆代工业务总裁 Choi Si-young 表示,在围绕AI的众多技术不断发展的美女图片大图今天,高性能、低功耗半导体至关重要。他提到,三星计划引入集成化、共封装光学技术,以实现高速、低功耗数据处理。
三星还指出,其全环绕栅极(GAA)晶体管架构在性能和良率方面正日趋成熟。1.4 nm工艺(SF1.4)的准备工作 “进展顺利,性能和良率目标均已如期实现”,并补充说,公司正在通过材料和结构创新 “积极塑造 ”未来低于 1.4 nm的工艺技术。
另外,一份来自行业研究机构TrendForce 的数据显示,第一季度三星在代工市场的份额同比持平,为 11%,而竞争对手台积电(TSMC)则占据了 61.7%。
今年 2 月,三星获得了日本初创公司 Preferred Networks 的 2nm AI芯片生产合同。而在上个月,为在高带宽内存芯片领域赶超竞争对手 SK海力士,三星更换了半导体业务主管。
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